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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W


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N. Articolo:
     5068-SIHB22N60EF-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHB22N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK;TO263
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 12A
Resistenza nello stato di conduzione: 182mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 179W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 96nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 46A
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