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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIHB22N65E-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHB22N65E-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK;TO263
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 14A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,18Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 227W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 110nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 56A
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