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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -400V; -1,1A; Idm: -7,2A; 50W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIHFR9310TR-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHFR9310TR-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK;TO252
Tensione drenaggio-fonte: -400V
Corrente di drenaggio: -1,1A
Resistenza nello stato di conduzione: 7Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 50W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 13nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -7,2A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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