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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 1,7A; Idm: 22A; 3,1W; SOT223


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIHLL014TR-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHLL014TR-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT223
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 1,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,28Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 3,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 8,4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 22A
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