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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIHW61N65EF-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHW61N65EF-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: THT
Corpo: TO247AD
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 41A
Resistenza nello stato di conduzione: 47mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 520W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 371nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 199A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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