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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
5068-SIJA58DP-T1-GE3

Produttore:
Vishay

N. Art. Produtt.:
SIJA58DP-T1-GE3

EAN/GTIN:
n.d.

Termini di ricerca:

FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET

Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 109A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,6mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 56,8W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 75nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 150A

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