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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 40A; Idm: 70A; 22,2W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SIR422DP-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIR422DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 40A
Resistenza nello stato di conduzione: 6,6mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 22,2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 48nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 70A
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