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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 80V; 116A; Idm: 300A


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N. Articolo:
     5068-SIR582DP-T1-RE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIR582DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: 80V
Corrente di drenaggio: 116A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,9mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 92,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 67nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 300A
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