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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 34,2A; 4W; PowerPAK® SO8


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SIR626DP-T1-RE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIR626DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 34,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,6mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 4W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 102nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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