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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 20V; 177A; Idm: 150A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIR800ADP-T1-RE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIR800ADP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 177A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,6mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 62,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 53nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 150A
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