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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIR800DP-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIR800DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 50A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,4mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 69W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 133nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 80A
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