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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 30V; 100A; Idm: 400A


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     5068-SIRA00DP-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIRA00DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,35mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 66,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 0,22µC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -16...20V
Corrente di drain pulsata: 400A
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Infineon
IR2113SPBF
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Accessori
IC: driver; semi ponte MOSFET; high-/low-side,gate driver; -2÷2A
Infineon
IR2110SPBF
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