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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 70V; 33,8A; Idm: 100A


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-SIS176LDN-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIS176LDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® 1212-8
Tensione drenaggio-fonte: 70V
Corrente di drenaggio: 33,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 12,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 19nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 100A
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Stato magazzino: Magazzino 5068
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