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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W


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N. Articolo:
     5068-SISA04DN-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SISA04DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® 1212-8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 40A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,1mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 43W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 77nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -16...20V
Corrente di drain pulsata: 80A
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Driver gate MOSFET IR2113SPBF, 2,5 A, 20V, SOIC W, 16-Pin
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IR2113SPBF
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Accessori
IC: driver; semi ponte MOSFET; high-/low-side,gate driver; -2÷2A
Infineon
IR2110SPBF
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