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Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolare; 30V


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SIZ998DT-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIZ998DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 20/60A
Resistenza nello stato di conduzione: 10/3,8mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Potenza dissipata: 20,2/32,9W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 18/44,3nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 90...130A
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