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Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolare; 30V


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIZF906ADT-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIZF906ADT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 60A
Resistenza nello stato di conduzione: 5,3/1,58mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Potenza dissipata: 38/83W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 49/200nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 80...100A
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