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Transistor: N/P-MOSFET; unipolare; 30/-30V; 5/-3,5A; Idm: 14÷20A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SP8M6FRATB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SP8M6FRATB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: 30/-30V
Corrente di drenaggio: 5/-3,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 82/165mΩ
Tipo del transistor: N/P-MOSFET
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 3,9/5,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 14...20A
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Tipo
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Articolo
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