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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -2,8A; Idm: -11A; 0,67W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -2,8A; Idm: -11A; 0,67W
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -2,8A; Idm: -11A; 0,67W
N. Articolo:
     5068-SQ2361AEES-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQ2361AEES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -2,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 315mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 0,67W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 15nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -11A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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