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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -60V; -5,3A; Idm: -21A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -60V; -5,3A; Idm: -21A
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -60V; -5,3A; Idm: -21A
N. Articolo:
     5068-SQ3427AEEV-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQ3427AEEV-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: TSOP6
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -5,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 178mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 1,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Versione: ESD
Carico della porta: 22nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -21A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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