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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; 40V; 5,3A; Idm: 32A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; 40V; 5,3A; Idm: 32A
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; 40V; 5,3A; Idm: 32A
N. Articolo:
     5068-SQ4940AEY-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQ4940AEY-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 5,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 29mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 1,3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 43nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 32A
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