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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 40V; 75A; Idm: 300A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SQJ422EP-T1-BE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQJ422EP-T1_BE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 75A
Resistenza nello stato di conduzione: 8,9mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 83W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 0,1µC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 300A
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