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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -3,9A; 1W; SOT23F


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -3,9A; 1W; SOT23F
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -3,9A; 1W; SOT23F
N. Articolo:
     5068-SSM3J327R
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     SSM3J327R,LF(B
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TOSHIBA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23F
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -3,9A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,24Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 4,6nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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