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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -6A; 1W; SOT23F


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -6A; 1W; SOT23F
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -6A; 1W; SOT23F
N. Articolo:
     5068-SSM3J332R
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     SSM3J332R,LF(T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TOSHIBA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23F
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -6A
Resistenza nello stato di conduzione: 144mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 8,2nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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