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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -6A; Idm: 24A; 2W; SOT23F; ESD


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SSM3J355R
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     SSM3J355R,LF(T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TOSHIBA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23F
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -6A
Resistenza nello stato di conduzione: 52,3mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Versione: ESD
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 24A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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