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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6
N. Articolo:
     5068-SSM6J501NU
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     SSM6J501NU,LF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TOSHIBA
Montaggio: SMD
Corpo: uDFN6
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -10A
Resistenza nello stato di conduzione: 43mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 29,9nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: -30A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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