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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 9A; Idm: 18A; 1,25W; uDFN6; ESD


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SSM6K504NU
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     SSM6K504NU,LF(T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TOSHIBA
Montaggio: SMD
Corpo: uDFN6
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 9A
Resistenza nello stato di conduzione: 26mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Versione: ESD
Carico della porta: 4,8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 18A
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