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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 7A; 110W; D2PAK


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 7A; 110W; D2PAK
N. Articolo:
     5068-STB13N60M2
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STB13N60M2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 7A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,38Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 110W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Tecnologia: SuperMesh™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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