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Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK


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N. Articolo:
     5068-STGB50H65FB2
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGB50H65FB2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 53A
Corrente del collettore nel impulso: 150A
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 272W
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 151nC
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