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Transistori
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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolare; 600V; 17A; 210W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-STW35N60DM2
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STW35N60DM2
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
STMicroelectronics
Montaggio:
THT
Corpo:
TO247
Tensione drenaggio-fonte:
600V
Corrente di drenaggio:
17A
Resistenza nello stato di conduzione:
94mΩ
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
210W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
tubo
Tecnologia:
MDmesh™ DM2
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±25V
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N THT
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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DCA55T
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Radiatore: stirato; TO218,TO247,TO248; L: 32mm; W: 20mm; H: 9mm; rame
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FK245MI247V
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