Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolare; 650V; 26,5A; 250W; ESD

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Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247-4
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 26,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 56mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 250W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Versione: ESD
Proprieta degli elementi semiconduttori: Uscita Kelvin
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: MDmesh™ V
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V