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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolare; 650V; 26,5A; 250W; ESD


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolare; 650V; 26,5A; 250W; ESD
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolare; 650V; 26,5A; 250W; ESD
N. Articolo:
     5068-STW57N65M5-4
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STW57N65M5-4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
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Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247-4
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 26,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 56mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 250W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Versione: ESD
Proprieta degli elementi semiconduttori: Uscita Kelvin
Tecnologia: MDmesh™ V
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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