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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolare; 650V; 22A; Idm: 140A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-STWA45N65M5
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STWA45N65M5
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 22A
Resistenza nello stato di conduzione: 78mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 210W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 82nC
Tecnologia: MDmesh™ M5
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 140A
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