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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolare; 600V; 37A; Idm: 190A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-STWA67N60DM6
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STWA67N60DM6
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 37A
Resistenza nello stato di conduzione: 45mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 431W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 72,5nC
Tecnologia: MDmesh™ DM6
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 190A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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