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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolare; 600V; 40A; Idm: 252A


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolare; 600V; 40A; Idm: 252A
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolare; 600V; 40A; Idm: 252A
N. Articolo:
     5068-STWA68N60M6
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STWA68N60M6
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 40A
Resistenza nello stato di conduzione: 41mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 390W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 106nC
Tecnologia: MDmesh™ M6
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 252A
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