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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -100V; -8,8A; 32,1W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SUD09P10-195-BE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SUD09P10-195-BE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK;TO252
Tensione drenaggio-fonte: -100V
Corrente di drenaggio: -8,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,21Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 32,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 34,8nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -15A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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