Acquista Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 100V; 35A; Idm: 40A a prezzi convenienti su Mercateo

Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
5068-SUD35N10-26P-BE3

Produttore:
Vishay

N. Art. Produtt.:
SUD35N10-26P-BE3

EAN/GTIN:
n.d.

Termini di ricerca:

FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET

Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 35A
Resistenza nello stato di conduzione: 37,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 83W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 47nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 40A

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