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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -40V; -110A; 375W


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SUM110P04-04L-E3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SUM110P04-04L-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tensione drenaggio-fonte: -40V
Corrente di drenaggio: -110A
Resistenza nello stato di conduzione: 7,6mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 375W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 0,35µC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -240A
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