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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 65A; 88W; DPAK


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 65A; 88W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 65A; 88W; DPAK
N. Articolo:
     5068-TK65S04K3L
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TK65S04K3L(T6L1,NQ
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TOSHIBA
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 65A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 88W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 63nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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