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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 40V; 8A; 8W; PDFN56


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-TSM150NB04DCR-RLG
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM150NB04DCR RLG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: PDFN56
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 8A
Resistenza nello stato di conduzione: 15mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 8W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 18nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Riepilogo condizioni1
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