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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 7A; 25W; IPAK SL


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-TSM900N06CH-X0G
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM900N06CH X0G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: IPAK SL
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 7A
Resistenza nello stato di conduzione: 90mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 9,3nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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