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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 18,2A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 18,2A
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 18,2A
N. Articolo:
     5068-UJ3C065080B3
Produttore:
     Qorvo (UnitedSiC)
N. Art. Produtt.:
     UJ3C065080B3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: Qorvo (UnitedSiC)
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 18,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 80mΩ
Tipo del transistor: N-JFET/N-MOSFET
Potenza dissipata: 115W
Polarizzazione: unipolare
Prezzo unitario: No
Versione: ESD
Carico della porta: 51nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: SiC
Genere di transistor: cascode
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 65A
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