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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 60V; 250mA; Idm: 1A; 150mW; UMT6


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-UM6K31NTN
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     UM6K31NTN
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: UMT6
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 0,25A
Resistenza nello stato di conduzione: 12Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,15W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Versione: ESD
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 1A
Riepilogo condizioni1
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