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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 50V; 200mA; Idm: 0,8A; 150mW


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-UM6K33NTN
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     UM6K33NTN
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: UMT6
Tensione drenaggio-fonte: 50V
Corrente di drenaggio: 0,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 7,2Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,15W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: 0,8A
Riepilogo condizioni1
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