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Modulo; transistor singolo; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-VMO550-01F
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     VMO550-01F
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Corpo: Y3-DCB
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tempo di prontitudine: 300ns
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 590A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,1mΩ
Potenza dissipata: 2,2kW
Polarizzazione: unipolare
Montaggio elettrico: avvitabile;FASTON connettori
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: Transistor MOSFET
Proprieta degli elementi semiconduttori: Uscita Kelvin
Carico della porta: 2µC
Tecnologia: HiPerFET™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 2,36kA
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