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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -750mA; Idm: -8A; 360mW; TO39


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-VP2206N2
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     VP2206N2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montaggio: THT
Corpo: TO39
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -750mA
Resistenza nello stato di conduzione: 0,9Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,36W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: sciolto
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -8A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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