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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -1,1A; Idm: -4A; 1,6W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -1,1A; Idm: -4A; 1,6W
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -1,1A; Idm: -4A; 1,6W
N. Articolo:
     5068-VP3203N8-G
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     VP3203N8-G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT89-3
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -1,1A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,6Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -4A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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