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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolare; 650V; 8,6A; Idm: 43A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMB18N65EM-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMB18N65EM
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: SMD
Corpo: PDFN56
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 8,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,28Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 125W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 26nC
Tecnologia: WMOS™ EM
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 43A
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