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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolare; 600V; 48A; Idm: 295A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMJ80N60EM-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMJ80N60EM
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 48A
Resistenza nello stato di conduzione: 43mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 430W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 142nC
Tecnologia: WMOS™ EM
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 295A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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