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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolare; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMK4N65D1B-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMK4N65D1B
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: THT
Corpo: TO220-3
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 4A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,2Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 112W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 14,5nC
Tecnologia: WMOS™ D1
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 16A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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