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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolare; 650V; 10,5A; Idm: 40A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WML26N65F2-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WML26N65F2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: THT
Corpo: TO220FP
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 10,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,21Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 31W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 22,1nC
Tecnologia: WMOS™ F2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 40A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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